45nm說白了就是晶體管之間挨得多近,不是單個(gè)晶體管有多長!越小意味著同樣一塊硅片能塞進(jìn)更多晶體管,成本就下來了~
打個(gè)比方:一張A4紙,切得越碎,片數(shù)越多,道理一樣!CPU面積變小了,單顆成本自然降。
功耗和制程≠簡單正比!工藝升級確實(shí)能壓電壓電流,但晶體管擠太近容易漏電、串?dāng)_,搞不好反而更費(fèi)電!
比如Intel當(dāng)年從130nm奔騰4(Northwood)升級到90nm(Prescott),工藝進(jìn)步了,結(jié)果功耗直接起飛…(當(dāng)然晶體管數(shù)量也猛增)
頻率跟制程沒直接關(guān)系!主要看架構(gòu)設(shè)計(jì)+散熱能力。溫度太高會翻車,所以頻率卡在那兒。
但間接有關(guān)系——新工藝如果成功省電,發(fā)熱少了,那頻率就有提升空間啦~
純手打理解,非百度復(fù)制,僅供參考哈~
打個(gè)比方:一張A4紙,切得越碎,片數(shù)越多,道理一樣!CPU面積變小了,單顆成本自然降。
功耗和制程≠簡單正比!工藝升級確實(shí)能壓電壓電流,但晶體管擠太近容易漏電、串?dāng)_,搞不好反而更費(fèi)電!
比如Intel當(dāng)年從130nm奔騰4(Northwood)升級到90nm(Prescott),工藝進(jìn)步了,結(jié)果功耗直接起飛…(當(dāng)然晶體管數(shù)量也猛增)
頻率跟制程沒直接關(guān)系!主要看架構(gòu)設(shè)計(jì)+散熱能力。溫度太高會翻車,所以頻率卡在那兒。
但間接有關(guān)系——新工藝如果成功省電,發(fā)熱少了,那頻率就有提升空間啦~
純手打理解,非百度復(fù)制,僅供參考哈~